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全新第八代12000V IGBT平臺 IR****
日期:2025-04-20 03:54
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摘要:
全球功率半導體和管理方案**供應商國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR) 推出新一代絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 技術(shù)平臺。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT平臺適用于符合行業(yè)標準的TO-247封裝,并采用IR新一代溝道柵極場截止技術(shù),為工業(yè)及節(jié)能應用提供**性能。
全新的Gen8組件提供從8A到高達60A的電流額定值,加上1.7V典型VCE(ON) 和10μs短路額定值,能夠減少功耗,有效增加功率密度并帶來**的耐用性。
IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“IR通過開發(fā)全新基準技術(shù)及**的IGBT硅平臺,彰顯其數(shù)十年...
全球功率半導體和管理方案**供應商國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR) 推出新一代絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 技術(shù)平臺。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT平臺適用于符合行業(yè)標準的TO-247封裝,并采用IR新一代溝道柵極場截止技術(shù),為工業(yè)及節(jié)能應用提供**性能。
全新的Gen8組件提供從8A到高達60A的電流額定值,加上1.7V典型VCE(ON) 和10μs短路額定值,能夠減少功耗,有效增加功率密度并帶來**的耐用性。
IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“IR通過開發(fā)全新基準技術(shù)及**的IGBT硅平臺,彰顯其數(shù)十年來致力提升功率電子技術(shù)的承諾。我們期望為所有電動馬達實現(xiàn)***變頻,從而更有效地使用電能,并且綠化環(huán)境。”
新技術(shù)為電機驅(qū)動應用提供更理想的軟關斷功能,通過盡量降低dv/dt來減少電磁干擾和過壓情況,有助于提升可靠性及耐用性。該平臺的參數(shù)分布狹窄,在進行多個IGBT并聯(lián)時便可帶來出色的電流分配。薄晶圓技術(shù)則改善了熱阻,還可達到175°C的*高結(jié)溫。
潘大偉指出:“IR的Gen8 IGBT平臺旨在為工業(yè)應用提供**的技術(shù)。該IGBT平臺憑借**的VCE(ON)、**的耐用性及**的開關功能,使工業(yè)市場所面臨的難題迎刃而解?!?