技術(shù)文章
-
英飛凌IGBT模塊命名規(guī)則 要想搭建一個(gè)優(yōu)良的電力電子系統(tǒng)，正確的功率器件選型首當(dāng)其沖。然而很多新入行的同學(xué)恐怕會(huì)對(duì)IGBT冗長(zhǎng)的料號(hào)看不懂，但實(shí)際上功率器件的命名都是有規(guī)律可循的。幾個(gè)字母和數(shù)字，便能反映比如電壓/電流等級(jí)、拓?fù)洹⒎庋b等等豐富的信息...發(fā)布時(shí)間：2024-06-15 22:02 點(diǎn)擊次數(shù)：296 次
-
英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC? MOSFET G2 英飛凌科技股份公司推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，開(kāi)啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比，英飛凌全新的CoolSiC?MOSFET650V和1200VGeneration2技術(shù)在確保質(zhì)量和可靠性...發(fā)布時(shí)間：2024-04-09 20:40 點(diǎn)擊次數(shù)：282 次
-
英飛凌全新4.5 kV XHP? 3 IGBT模塊讓驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)尺寸小型化 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出了4.5kVXHP?3IGBT模塊，旨在從根本上改變采用兩電平和三電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)且使用2000V至3300V交流電壓的中壓變頻器（MVD）與交通運(yùn)輸應(yīng)用...發(fā)布時(shí)間：2023-12-26 20:57 點(diǎn)擊次數(shù)：286 次
-
英飛凌推出CoolSiC產(chǎn)品組合，實(shí)現(xiàn)高效率和功率密度 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝產(chǎn)品。其采用成熟的62mm器件半橋拓?fù)湓O(shè)計(jì)并基于新推出的增強(qiáng)型M1H...發(fā)布時(shí)間：2023-11-30 16:30 點(diǎn)擊次數(shù)：274 次
-
英飛凌推出第七代分立式650V H7新品 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX：IFNNY）推出分立式650VIGBT7H7新品，進(jìn)一步擴(kuò)展其第七代TRENCHSTOP?IGBT產(chǎn)品陣容。全新器件配備**的EC7共封裝二極管，先進(jìn)的發(fā)射器控制設(shè)計(jì)結(jié)合...發(fā)布時(shí)間：2023-10-11 21:20 點(diǎn)擊次數(shù)：255 次
-
英飛凌擴(kuò)展1200 V 62 mm IGBT7 產(chǎn)品組合模塊 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出搭載1200VTRENCHSTOP?IGBT7芯片的62mm半橋和共發(fā)射極模塊產(chǎn)品組合。模塊的*大電流規(guī)格高達(dá)800A，擴(kuò)展了英飛凌采用成熟的62mm...發(fā)布時(shí)間：2023-08-08 21:20 點(diǎn)擊次數(shù)：270 次
-
發(fā)布時(shí)間：2023-02-16 10:56 點(diǎn)擊次數(shù)：970 次
-
英飛凌第7代IGBT7 英飛凌第7代IGBT7 亮點(diǎn)開(kāi)發(fā)出的芯片由IGBT7和EC（發(fā)射極-控制）7二極管組成，能*好地滿(mǎn)足變頻通用驅(qū)動(dòng)（GPD）的所有需求。具有優(yōu)良的控制能力，在所有與應(yīng)用有關(guān)的電流等級(jí)下具有足夠的軟度，靜態(tài)損耗大幅降低，且抗短...發(fā)布時(shí)間：2022-12-15 11:24 點(diǎn)擊次數(shù)：1432 次
