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英飛凌推出專為牽引驅動而優(yōu)化的全新IHM/IHV B功率模塊——*大運行溫度達+150°C，功耗大幅度削減，具備高功率循環(huán)能力
日期：2025-04-20 02:03
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摘要：英飛凌科技公司IHM/IHV B系列的IGBT（ 絕緣柵雙極晶體管）模塊。運用這個全新的模塊，用戶可設計出能夠在嚴酷的環(huán)境下正常工作，**滿足大負荷與溫度循環(huán)要求的高效功率變頻器，如機車、列車和電車的牽引驅動裝置等。全 新模塊擴展了英飛凌上一代IHM-A模塊的功能和規(guī)格，實現(xiàn)了熱阻性能的改善和負荷循環(huán)能力的提高，并將運行溫度提高至+150°C。
與同等尺寸的傳統(tǒng)變頻器相比，基于這種全新高功率模塊設計的變頻器的功率可提高50%。同時，因為IHM/IHV B模塊優(yōu)良的熱性能，運 用他設計的變頻器的輸出電流在典型的工礦下可以使得輸出電流...
英飛凌科技公司IHM/IHV B系列的IGBT（ 絕緣柵雙極晶體管）模塊。運用這個全新的模塊，用戶可設計出能夠在嚴酷的環(huán)境下正常工作，**滿足大負荷與溫度循環(huán)要求的高效功率變頻器，如機車、列車和電車的牽引驅動裝置等。全 新模塊擴展了英飛凌上一代IHM-A模塊的功能和規(guī)格，實現(xiàn)了熱阻性能的改善和負荷循環(huán)能力的提高，并將運行溫度提高至+150°C。
與同等尺寸的傳統(tǒng)變頻器相比，基于這種全新高功率模塊設計的變頻器的功率可提高50%。同時，因為IHM/IHV B模塊優(yōu)良的熱性能，運 用他設計的變頻器的輸出電流在典型的工礦下可以使得輸出電流的能力提高50% ，例如，3,300V模塊的額定電流從1,200A升至1,500A，增幅高達25%。這 種全新模塊的*大運行溫度也從先前+125°C上升至+150°C。英飛凌還將這種模塊的*小貯存溫度從先前-40°C降低至-55°C。
英飛凌已經(jīng)交付了100多萬套IHM-A模塊，市場份額高達30%左右。IHM/IHV B模塊與成熟IHM-A系列產(chǎn)品完全兼容，能夠讓用戶在不改變產(chǎn)品結構的情況下，進行更新?lián)Q代。
“IHM-A模塊的推出，改寫了高功率模塊的行業(yè)標準，”英飛凌科技工業(yè)功率電子產(chǎn)品主管Martin Hierholzer說，“而IHM/IHV B系列功率模塊則再次改寫了高功率模塊的額定電流、功率循環(huán)能力及可靠性基準。同時，我們的客戶還將受益于該系列模塊與先前IHM-A模塊家族的機械兼容性?！?br>
除改進熱阻性能外，全新模塊還可滿足一些要求非?？量痰膽脤δ陀眯耘c可靠性的要求，如列車或電車的牽引驅動裝置等。在啟動與停止階段，這些牽引驅動裝置的溫度有很大的波動。為 了滿足牽引驅動設備的性能需求，英飛凌為IHM/IHV B設計了鋁碳化硅（ALSiC）基板。與相關聯(lián)的隔離陶瓷結合使用，鋁碳化硅基板可將熱循環(huán)能力提高10倍。對于其他溫度變化幅度較小的應用，如工業(yè)傳動、 風能發(fā)電和電梯等，英飛凌將提供使用銅基板的IHM/IHV B模塊變體。
IHM/IHV B模塊的電流能夠做到3,600 A以上，電壓級別包括：1,200 V、1,700 V和3,300 V。1,200 V模塊中使用的晶體管基于全新英飛凌IGBT4技術。1 ,700 V和3,300 V模塊中的晶體管使用基于英飛凌TrenchStop®/電場截止工藝的IGBT3技術，與先前的模塊相比，大幅度削減了正向導通電壓。例如3,300 V FZ1500R33HL3模塊的正向導通電壓為2.5V，比相當?shù)腒F2C模塊（4.3V）低40%左右。
這些新型模塊符合RoHS要求，并滿足NFF16-101和16-102的防火要求。它們都在德國Warstein生產(chǎn)，IGBT和二極管芯片在奧地利菲拉赫制造。
供貨情況
額定電流為1,500A的兩款3,300V IHM/IHV B模塊——FZ1500R33HL3（帶有IGBT3家族的軟性IGBT） 和FZ1500R33HE3 （運用高速IGBT3 芯片）， 現(xiàn)已開始提供樣片。批量生產(chǎn)預計于2006年第三季度開始。
與同等尺寸的傳統(tǒng)變頻器相比，基于這種全新高功率模塊設計的變頻器的功率可提高50%。同時，因為IHM/IHV B模塊優(yōu)良的熱性能，運 用他設計的變頻器的輸出電流在典型的工礦下可以使得輸出電流的能力提高50% ，例如，3,300V模塊的額定電流從1,200A升至1,500A，增幅高達25%。這 種全新模塊的*大運行溫度也從先前+125°C上升至+150°C。英飛凌還將這種模塊的*小貯存溫度從先前-40°C降低至-55°C。
英飛凌已經(jīng)交付了100多萬套IHM-A模塊，市場份額高達30%左右。IHM/IHV B模塊與成熟IHM-A系列產(chǎn)品完全兼容，能夠讓用戶在不改變產(chǎn)品結構的情況下，進行更新?lián)Q代。
“IHM-A模塊的推出，改寫了高功率模塊的行業(yè)標準，”英飛凌科技工業(yè)功率電子產(chǎn)品主管Martin Hierholzer說，“而IHM/IHV B系列功率模塊則再次改寫了高功率模塊的額定電流、功率循環(huán)能力及可靠性基準。同時，我們的客戶還將受益于該系列模塊與先前IHM-A模塊家族的機械兼容性?！?br>
除改進熱阻性能外，全新模塊還可滿足一些要求非?？量痰膽脤δ陀眯耘c可靠性的要求，如列車或電車的牽引驅動裝置等。在啟動與停止階段，這些牽引驅動裝置的溫度有很大的波動。為 了滿足牽引驅動設備的性能需求，英飛凌為IHM/IHV B設計了鋁碳化硅（ALSiC）基板。與相關聯(lián)的隔離陶瓷結合使用，鋁碳化硅基板可將熱循環(huán)能力提高10倍。對于其他溫度變化幅度較小的應用，如工業(yè)傳動、 風能發(fā)電和電梯等，英飛凌將提供使用銅基板的IHM/IHV B模塊變體。
IHM/IHV B模塊的電流能夠做到3,600 A以上，電壓級別包括：1,200 V、1,700 V和3,300 V。1,200 V模塊中使用的晶體管基于全新英飛凌IGBT4技術。1 ,700 V和3,300 V模塊中的晶體管使用基于英飛凌TrenchStop®/電場截止工藝的IGBT3技術，與先前的模塊相比，大幅度削減了正向導通電壓。例如3,300 V FZ1500R33HL3模塊的正向導通電壓為2.5V，比相當?shù)腒F2C模塊（4.3V）低40%左右。
這些新型模塊符合RoHS要求，并滿足NFF16-101和16-102的防火要求。它們都在德國Warstein生產(chǎn)，IGBT和二極管芯片在奧地利菲拉赫制造。
供貨情況
額定電流為1,500A的兩款3,300V IHM/IHV B模塊——FZ1500R33HL3（帶有IGBT3家族的軟性IGBT） 和FZ1500R33HE3 （運用高速IGBT3 芯片）， 現(xiàn)已開始提供樣片。批量生產(chǎn)預計于2006年第三季度開始。
