根據(jù)以上分析，有以下幾個(gè)方面需要注意： 
    1 ）    EXB841 只有    1 ． 5us 的延時(shí)，慢關(guān)斷動(dòng)作時(shí)間約  8us ，與使用手冊(cè)上標(biāo)明的“對(duì) < 10us 的過電流不動(dòng)作”是有區(qū)別的。

    2 ）由于僅有 1 ． 5us 的延時(shí)，只要大于 1 ． 5 us 的過流都會(huì)使慢關(guān)斷電路工作。由于慢關(guān)斷電路的放電時(shí)間常數(shù) t2 較小，充電時(shí)間常數(shù) t3 較大，后者是前者的 10 倍，因此慢關(guān)斷電路一旦工作，即使短路現(xiàn)象很快消失，  EXB841 中的腳   3 輸出也難以達(dá)到   Uge ＝＋  15V 的正常值。如果 EXB841 的 C4 已放電至終了值（ 3 ． 6V ），則它被充電至  20v 的時(shí)間約為      140us ，與本脈沖關(guān)斷時(shí)刻相距   140us 以內(nèi)的所有后續(xù)脈沖正電平都不會(huì)達(dá)到  Uge= ＋  15V ，即慢關(guān)斷不僅影響本脈沖，而且可能影響后續(xù)的脈沖。

    3 ）由圖  2 － 67 可知光耦合器 IS01 由十 5V 穩(wěn)壓管供電，這似乎簡(jiǎn)化了電路，但由于   EXB841 的腳   1 接在   IGBT 的   E 極，   IGBT 的開通和截止會(huì)造成其電位很大的跳動(dòng)，可能會(huì)有浪涌尖峰，這無疑對(duì) EXB841 可靠運(yùn)行不利。另外，從其 PCB 實(shí)際走線來看，光耦合器陰叮的腳 8 到穩(wěn)壓管 VZZ 的走線很長(zhǎng)，而且很靠近輸出級(jí)（ V4 、 V5 ），易受干擾。

    4 ）      IGBT 開通和關(guān)斷時(shí)，穩(wěn)壓管     VZ 2 易受浪涌電壓和電流沖擊，易損壞。另外，從印刷電路板    PCB 實(shí)際走線看，      VZ 2 的限流電阻 R10 兩端分別接在   EXB841 的腳    1 和腳    2 上，在實(shí)際電路測(cè)試時(shí)易

被示波器探頭等短路，從而可能損壞   VZ2 ，使   EXB841 不能繼續(xù)使用。

     （ 3 ）驅(qū)動(dòng)器的應(yīng)用 EXB850 和 EXB851 驅(qū)動(dòng)器分別能驅(qū)動(dòng) 150A ／ 600V 、  75A ／ 1200V 、  400A ／ 600V 、  300A ／ 1200V 的  IGBT ，驅(qū)動(dòng)電路信號(hào)延遲 <4Us ，適用于高達(dá)   10kHz 的開關(guān)電路。應(yīng)用電路如圖 2 － 69 所示。如果 IGBT 集電極產(chǎn)生大的電壓尖脈沖，可增大 IGBT 柵極串聯(lián)電阻 Rg 來加以限制。

    EXB84O ／ EXB841 高速型驅(qū)動(dòng)器分別能驅(qū)動(dòng) 150A ／ 600V 、 75A ／ 1200V 、 400A ／ 600V 、 200A ／ 1200V 的 IGBT ，驅(qū)動(dòng)電路信號(hào)延遲＜ lus ，適用于高達(dá) 40kHz 的開關(guān)電路。它的應(yīng)用電路如圖 2 － 70 所示。

     （  4 ）使用    EXB 系列驅(qū)動(dòng)器應(yīng)注意的問題

    l ）輸入與輸出電路應(yīng)分開，即輸入電路（光耦合器）接線遠(yuǎn)離輸出電路，以保證有適當(dāng)?shù)慕^緣強(qiáng)度和高的噪音阻抗。

    2 ）使用時(shí)不應(yīng)超過使用手冊(cè)中給出的額定參數(shù)值。如果按照推薦的運(yùn)行條件工作， IGBT 工作情況*佳。如果使用過高的驅(qū)動(dòng)電壓會(huì)損壞  IGBT ，而不足的驅(qū)動(dòng)電壓又會(huì)增加  IGBT 的通態(tài)壓降。過大

的輸入電流會(huì)增加驅(qū)動(dòng)電路的信號(hào)延遲，而不足的輸入電流會(huì)增加 IGBT 和二極管的開關(guān)噪聲。

    3 ）     IGBT 的柵、射極回路的接線長(zhǎng)度一定要小于     lm  ，且應(yīng)使用雙絞線。

    4 ）電路中的電容器 C1 和 C2 用來平抑因電源接線阻抗引起的供電電壓變化，而不是作為電源濾波用。

    5 ）增大  IGBT 的柵極串聯(lián)電阻  Rg ，抑制   IGBT 集電極產(chǎn)生大的電壓尖脈沖。

     *后，再談一下 IGBT 的保護(hù)問題。因?yàn)?IGBT 是由 MOSFET 和 GTR 復(fù)合而成的，所以 IGBT 的保護(hù)可按 GTR 、 MOSFET 保護(hù)電路來考慮。主要是柵源過壓保護(hù)、靜電保護(hù)、準(zhǔn)飽和運(yùn)行、采用 R － C － VD 緩沖電路等等。這些前面已經(jīng)講過，故不再贅述。另外應(yīng)在 IGBT 電控系統(tǒng)中設(shè)置過壓、欠壓、過流和過熱保護(hù)單元，以保證**可靠工作。應(yīng)該指出，必須保證 IGBT 不發(fā)生擎住效應(yīng)。具體做法是，實(shí)際中 IGBT 使用的*大電流不超過其額定電流。

圖 2-70    EXB841 典型應(yīng)用電路