產(chǎn)品詳情
簡(jiǎn)單介紹：
我們的產(chǎn)品包括半導(dǎo)體器件、功率模塊、模組和系統(tǒng)。我們?yōu)榭蛻籼峁┊a(chǎn)品新技術(shù)、和服務(wù)，為客戶創(chuàng)造價(jià)值，提供的產(chǎn)品和服務(wù)，實(shí)現(xiàn)可持續(xù)的未來(lái)。
詳情介紹：
我們公司代理銷售德國(guó)賽米控丹佛斯/西門康semikronIGBT模塊下屬八大系列: Semix系列IGBT模塊、SEMITRANS系列IGBT模塊、SKiM系列 IGBT模塊、Mini skiip系列IGBT模塊、 SEMITOP系列模塊。為您提供不同封裝形式,如SEMIPACK、SEMiSTART、SEMIPONT和SEMITOP。采用不同的連接技術(shù),有焊接、鍵合或壓接模塊可供選擇。
賽米控丹佛斯提供SEMITRANS、SEMiX、SKiM、MiniSKiiP和SEMITOP封裝形式的IGBT模塊，支持不同的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、額定電流和電壓。這些IGBT模塊的電流范圍為4A至1400A，電壓級(jí)別為600V至1800V。它們可用于各種應(yīng)用，并采用多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，如燒結(jié)以及實(shí)現(xiàn)快捷裝配的彈簧或press-fit連接。提供不同的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，提供不同的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，如CIB（整流-逆變-制動(dòng)）、半橋、H橋、三相全橋和三電平等，涵蓋幾乎所有應(yīng)用領(lǐng)域。結(jié)合新的IGBT芯片和CAL二極管技術(shù)。新代IGBT7已正式應(yīng)用于賽米控丹佛斯功率模塊，其帶來(lái)更高功率密度并確立了新的性能評(píng)價(jià)基準(zhǔn)，特別是在電機(jī)驅(qū)動(dòng)和太陽(yáng)能應(yīng)用中。
現(xiàn)貨銷售賽米控IGBT模塊;德國(guó)賽米控模塊;賽米控SEMIKRON模塊 SKIIP模塊 原裝等產(chǎn)品型號(hào)：
SKiiP35NAB126V1
IGBT ModulesMiniSKiiP II 3 (82x59x16)
Part Number 25230110
Product Status Not for new designs
Housing MiniSKiiP II 3 (82x59x16)
(LLxBBxHH) 82x59x16
Switches Seven Pack
VCES in V 1200
ICnom in A 50
Technology IGBT 3 (Trench)
MiniSKiiP®的優(yōu)勢(shì)：
MiniSKiiP模塊獨(dú)特的機(jī)械特點(diǎn)是簡(jiǎn)易的裝配和服務(wù)友好型彈簧接觸技術(shù)。與傳統(tǒng)的焊接或壓裝模塊相比，MiniSKiiP模塊的裝配不需要專用的設(shè)備（自動(dòng)壓力機(jī)、波峰焊機(jī)）。相反，只需使用一個(gè)或兩個(gè)螺絲連接即可。印制電路板（PCB）、功率模塊和散熱器在一個(gè)安裝步驟中完成組裝。印刷電路板上不需要焊接引腳或壓接孔，因此PCB設(shè)計(jì)更具靈活性。彈簧在PCB和電源電路之間提供了一種靈活的連接方式，這一點(diǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于焊接連接，特別是在熱應(yīng)力或機(jī)械應(yīng)力條件下，會(huì)影響其使用壽命。得益于彈簧提供的高機(jī)械壓力，可以實(shí)現(xiàn)氣密、可靠的電氣連接。
MiniSKiiP®產(chǎn)品特點(diǎn)：
低成本組裝，高生產(chǎn)率和產(chǎn)量
小型、緊湊的系統(tǒng)設(shè)計(jì)
可靠性和使用壽命長(zhǎng)
中低功率范圍從400W到110kW。
MiniSKiiP®的關(guān)鍵特性：
免焊接的SPRiNG技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)快速、簡(jiǎn)便的裝配。無(wú)銅底板，實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比的設(shè)計(jì)和高熱性能
簡(jiǎn)便靈活的PCB布線，無(wú)需引腳孔
拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)配置：CIB、三相全橋、雙三相全橋、H橋、半橋、三電平NPC/TNPC/ANPC、升壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)（升壓斬波器、飛跨電容升壓、對(duì)稱升壓）
MiniSKiiP®的應(yīng)用：
MiniSKiiP®的產(chǎn)品范圍：
MiniSKiiP模塊產(chǎn)品組合覆蓋600V-1700V電壓，4A - 600A電流。除了IGBT3和IGBT4的芯片之外，新的第7代IGBT芯片和碳化硅器件均可適配其中。標(biāo)準(zhǔn)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)拓?fù)浒–IB, 三相全橋, 雙三相全橋，半橋和相應(yīng)的不控/半控和全控制整流拓?fù)浜蛿夭ㄍ負(fù)?。用于UPS應(yīng)用的NPC和對(duì)稱升壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，基于快速開(kāi)關(guān)650V IGBT和二極管可實(shí)現(xiàn)*高功率密度達(dá)100kVA的UPS系統(tǒng)。
更重要的是，新的芯片技術(shù)，如全碳化硅和混合碳化硅功率模塊，將效率和功率密度提升到更高的水平。為了快速評(píng)估，可以為大多數(shù)功率模塊訂購(gòu)測(cè)試PCB板。
在此基礎(chǔ)上，所有功率模塊還可提供預(yù)涂高性能導(dǎo)熱硅脂，這是一種標(biāo)桿性的熱界面材料。
